KIA6410参数指标

功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。

特征

RDS（ON）典型值= 1.8mΩ@ VGS = 10v

低栅极电荷（典型的16nc）

高耐用性

快速切换

100%雪崩测试

改进的dt／dt能力

参数

产品型号：KIA6N70

工作方式：15A/100V

漏源电压：100V

栅源电压：±20V

漏电流连续：15A

脉冲漏极电流：60V

耗散功率：50W

热电阻：62℃/W

漏源击穿电压：100V

温度系数：0.05V/℃

栅极阈值电压：1.2V

输入电容：1480PF

输出电容：480PF

上升时间：9.5ns

封装形式：TO-252、TO-251、TO-220

	KIA6410
产品编号	KIA6410/AP/AU
FET极性	N沟道MOSFET
产品工艺	功率MOSFET采用起亚的高级平面条形DMOS工艺生产。这先进的技术已特别定制，以尽量减少对国家的阻力，提供优越的。开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。
产品特征	RDS（ON）典型值= 1.8mΩ@ VGS = 10v 低栅极电荷（典型的16nc）高耐用性快速切换 100%雪崩测试改进的dt／dt能力
适用范围	主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
封装形式	TO-220、TO-251、TO-252
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LOGO
厂家	KIA原厂家
网址	www.kiaic.com
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