KIA7115参数指标
KIA 7115a是性能最高的沟槽N - ch MOSFETs，具有极高的单元密度，为大多数同步buck转换器应用提供了优异的RDSON和栅极电荷。KIA 7115a符合RoHs和绿色产品要求，100 % EAS，功能可靠性得到认可。
特征
RDS(on)=77mΩ @ VGS=10V
超低栅极电荷
绿色设备可用
优良的Cdv / dt效应下降
先进的高单元密度沟槽技术
参数
产品型号：KIA7115
工作方式：20A/150V
漏源电压：150V
栅源电压：±20V
漏电流连续：14A
脉冲漏极电流：40A
雪崩电流：18A
雪崩能量：53mJ
耗散功率：72.6W
热电阻：60℃/W
漏源击穿电压：150V
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：2285PF
输出电容：110PF
上升时间：8.2 ns
封装形式：TO-251、TO-252
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KIA7115AD/AU
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产品编号
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KIA7115（20A 150V）
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品工艺
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KIA 7115a是性能最高的沟槽N - ch MOSFETs，具有极高的单元密度，为大多数同步buck转换器应用提供了优异的RDSON和栅极电荷。
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产品特征
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RDS(on)=77mΩ @ VGS=10V
超低栅极电荷
绿色设备可用
优良的Cdv / dt效应下降
先进的高单元密度沟槽技术
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封装形式
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TO-251、TO-252
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PDF文件
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 【直接现在预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF页总数
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总4页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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