KIA7410参数指标
7610a采用沟槽加工技术设计，实现极低的导通电阻。该设计的其他特点是175℃结工作温度、快速开关速度和提高的重复雪崩额定值。这些特征结合在一起，使得该设计成为一种非常有效和可靠的装置，用于DC - DC转换器和离线UPS以及各种各样的其它装置申请。
KIA7410特征
RDS(on) =32mΩ
低导通电阻
快速切换
100 %雪崩测试
允许重复雪崩达到最大值
自由电子邮件，符合RoHS要求
KIA7410参数
产品型号：KIA7115
工作方式：20A/150V
漏源电压：150V
栅源电压：±20V
漏电流连续：14A
脉冲漏极电流：40A
雪崩电流：18A
雪崩能量：53mJ
耗散功率：72.6W
热电阻：60℃/W
漏源击穿电压：150V
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：2285PF
输出电容：110PF
上升时间：8.2 ns
封装形式：TO-251、TO-252
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KIA7610/AD/AU
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产品编号
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KIA7610（25A 100V）
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品工艺
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7610a采用沟槽加工技术设计，实现极低的导通电阻。该设计的其他特点是175℃结工作温度、快速开关速度和提高的重复雪崩额定值。这些特征结合在一起，使得该设计成为一种非常有效和可靠的装置
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产品特征
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RDS(on) =32mΩ
低导通电阻
快速切换
100 %雪崩测试
允许重复雪崩达到最大值
自由电子邮件，符合RoHS要求
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适用范围
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DC - DC转换器和离线UPS以及各种各样的其它装置申请
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封装形式
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TO-251、TO-252
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PDF文件
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 【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF页总数
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总6页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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