KIA20N50参数指标
KIA20n50h N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源功率因数校正。
KIA20N50特征
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V
低栅极电荷（典型的70nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
KIA20N50参数
产品型号：KIA20N50
工作方式：20A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
漏电流连续：13A
脉冲漏极电流：80A
雪崩能量：110mJ
耗散功率：41.5W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：500V
温度系数：0.5V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：2700 PF
输出电容：400 PF
上升时间：400 ns
封装形式：TO-247、TO-220F、TO-3P
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KIA20N50/HF/HH/HM
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产品编号
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KIA20N50（20A 500V）
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品特征
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RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V
低栅极电荷（典型的70nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
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适用范围
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主要适用于为高电压，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源功率因数校正。
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封装形式
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TO-220F、TO-247、TO-3P
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PDF文件
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 【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总5页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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