KIA20N50参数指标
KIA20n50h N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源功率因数校正。
KIA20N50特征
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V
低栅极电荷(典型的70nc)
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt/dt能力
KIA20N50参数
产品型号:KIA20N50
工作方式:20A/500V
漏源电压:500V
栅源电压:±30V
漏电流连续:13A
脉冲漏极电流:80A
雪崩能量:110mJ
耗散功率:41.5W
热电阻:62.5℃/W
漏源击穿电压:500V
温度系数:0.5V/℃
栅极阈值电压:2.0V
输入电容:2700 PF
输出电容:400 PF
上升时间:400 ns
封装形式:TO-247、TO-220F、TO-3P
![](http://www.kiaic.com/include/upload/kind/image/20180209/20180209101310_2187.jpg)
|
KIA20N50/HF/HH/HM
|
产品编号
|
KIA20N50(20A 500V)
|
FET极性
|
N沟道MOSFET
|
产品特征
|
RDS(on)=0.21Ω @ VGS=10V
低栅极电荷(典型的70nc)
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt/dt能力
|
适用范围
|
主要适用于为高电压,高速功率开关应用,如高效率开关电源,有源功率因数校正。
|
封装形式
|
TO-220F、TO-247、TO-3P
|
PDF文件
|
【直接在线预览】
|
LOGO
|
![](http://www.kiaic.com/include/upload/kind/image/20180209/20180209101722_9531.jpg)
|
厂家
|
KIA原厂家
|
网址
|
www.kiaic.com
|
PDF总页数
|
总5页
|
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。
关注「KIA半导体」,做优秀工程师!
长按二维码识别关注
阅读原文可一键关注+技术总汇