KNF7160参数指标
特征
专有的新平面技术
RDS(ON),typ.=0.35Ω@VGS=10V
低门电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
应用
CRT，电视/监视器
其他应用程序
参数
产品型号：KIA7160
工作方式：20A/600V
漏源电压：400V
栅源电压：±30V
漏电流连续：20A
脉冲漏极电流：6A
雪崩能量：1000mJ
耗散功率：250W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：600V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：2800 PF
输出电容：249 PF
上升时间：72 ns
封装形式：TO-220、TO-220F
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KNF7160
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产品编号
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KNF7160（20A 600V）
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品特征
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专有的新平面技术
RDS(ON),typ.=0.35Ω@VGS=10V
低门电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
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适用范围
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主要是适用于CRT，电视/监视器、其他应用程序
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封装形式
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TO-220、TO-220F
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PDF文件
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 【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总8页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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