KIA28N50参数指标
这是功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制，以尽量减少的阻力，提供优越的开关性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。这些设备非常适合于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑。
KIA28N50特征
RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的102nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
KIA28N50参数
产品型号：KIA28N50
工作方式：28A/500V
漏源电压：500V
栅源电压：±30V
漏电流连续：28A
脉冲漏极电流：112A
雪崩能量：1960mJ
耗散功率：479W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：500V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：4085 PF
输出电容：474 PF
上升时间：87ns
封装形式：TO-3P
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KIA28N50
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产品编号
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KIA28N50（28A500V）
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品工艺
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功率MOSFET采用先进的平面条形DMOS工艺生产的起亚。这种先进的技术已特别定制，以尽量减少的阻力，提供优越的开关性能，在雪崩和换流模式下承受高能量脉冲。
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产品特征
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RDS（ON）= 0.17Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的102nc）
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
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适用范围
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主要适用于高效率开关电源，有源功率因数校正的基础上半桥拓扑
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封装形式
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TO-3P
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PDF文件
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 【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总5页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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