KIA8606参数指标
8606高细胞密度的N沟道MOSFET沟道与提供优良的导通电阻和大多数同步降压转换器应用的栅电荷。kia8606符合ROHS和绿色产品要求，100%个功能齐全的可靠性认证。
KIA8606特征
超低栅电荷
100% EAS保证
优良的CDV / dt效应DES线
绿色的可用设备
先进的高密度沟槽技术
KIA8606参数
产品型号：KIA8606
工作方式：35A/60V
漏源电压：60V
栅源电压：±20V
漏电流连续：35A
脉冲漏极电流：80A
雪崩电流：28A
雪崩能量：39.2A
耗散功率：45W
热电阻：62℃/W
漏源击穿电压：60V
温度系数：0.057V
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：2423 PF
输出电容：145 PF
上升时间：50ns
封装形式：TO-251
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KIA8606
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产品编号
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KIA8606（35A 60V）
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FET极性
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N沟道MOSFET
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产品工艺
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8606高细胞密度的N沟道MOSFET沟道与提供优良的导通电阻和大多数同步降压转换器应用的栅电荷。kia8606符合ROHS和绿色产品要求，100%个功能齐全的可靠性认证。
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产品特征
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超低栅电荷
100% EAS保证
优良的CDV / dt效应DES线
绿色的可用设备
先进的高密度沟槽技术
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封装形式
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TO-251
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PDF文件
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 【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总5页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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