KND4820B参数
1、应用
KND4820B通道增强型硅栅功率MOSFET的高电压设计，高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器。
2、特征
专有的新平面技术
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低门电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
3、产品参数
产品型号：KND4820B
工作方式：9A/200V
漏源电压：200V
栅源电压：±20V
漏电流连续：9.0A
脉冲漏极电流：36A
雪崩能量：300mJ
耗散功率：83V
热电阻：75℃/W
漏源击穿电压：200V
栅极阈值电压：1.0V
输入电容：418PF
输出电容：94PF
上升时间：6.0ns
封装形式：TO-251、TO-252
4、产品规格
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KND4820B
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产品编号
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KND4820B 9A/200V
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产品特征
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专有的新平面技术
RDS（ON），典型值= 250mΩ@ VGS = 10v
低门电荷最小化开关损耗
快速恢复体二极管
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适用范围
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高速功率开关应用，如高效率开关电源，有源基于半桥拓扑结构的功率因数校正电子镇流器。
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封装形式
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TO-251、TO-252
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PDF文件
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【直接在线预览】
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总8页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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