1、KIA6035A产品描述
这是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越性。
开关性能，在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
2、KIA6035A的特征
RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的15nc）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
3、KIA6035A产品参数
产品型号：KIA6035A
工作方式：11A/350V
漏源电压：350V
栅源电压：±20V
漏电流连续：11A
脉冲漏极电流:9.0A
雪崩能量：423mJ
耗散功率：99W
热电阻：62.5℃/W
漏源击穿电压：350V
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：844PF
输出电容：162PF
上升时间：23.5ns
封装形式：TO-252、TO-220
4、KIA6035A产品规格
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KIA6035A
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产品编号
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KIA6035A 11A/350V
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产品工艺
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这是功率MOSFET采用起亚`平面条形DMOS工艺生产的先进。这种先进的技术特别适合于最小化状态电阻，提供优越性。
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产品特征
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RDS（ON）= 0.38Ω@ VGS = 10v
低栅极电荷（典型的15nc）
高耐用性
快速切换的能力
雪崩能量
改进的dt／dt能力
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适用范围
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适合于最小化状态电阻，高效率开关电源，有源功率因数校正。基于半桥拓扑。
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封装形式
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TO-252、TO-220
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LOGO
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厂家
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KIA原厂家
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网址
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www.kiaic.com
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PDF总页数
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总5页
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联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
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联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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