1、KIA50N03应用参数
VDSS =30V,R DS(on) =6.5mΩ,I D =50A
Vds=30V
RDS(ON) =6.5mΩ(Max.),VGS@10V,Ids@30A
RDS(ON) =9.5mΩ(Max.),VGS@4.5V,Ids@30A
2、KIA50N03特征
先进沟槽加工技术
超低电阻高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
3、KIA50N03产品参数
产品型号:KIA50N03
工作方式:50A/30V
漏源电压:30V
栅源电压:±20A
漏电流连续:50A
脉冲漏极电流:200A
耗散功率:60W
热电阻:50℃/W
漏源击穿电压:30V
栅极阈值电压:1V
输入电容:1180PF
输出电容:270PF
上升时间:6ns
封装形式:TO-251、252/220
4、KIA50N03产品规格
|
KIA50N03
|
产品编号
|
KIA50N03 50A/30V
|
产品特征
|
先进沟槽加工技术
超低电阻高密度电池设计
充分表征雪崩电压和电流
|
封装形式
|
TO-251、252、220
|
PDF文件
|
【直接在线预览】
|
LOGO
|
|
厂家
|
KIA原厂家
|
网址
|
www.kiaic.com
|
PDF文件
|
总3页
|
联系方式:邹先生
联系电话:0755-83888366-8022
手机:18123972950
QQ:2880195519
联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
关注KIA半导体工程专辑请搜微信号:“KIA半导体”或点击本文下方图片扫一扫进入官方微信“关注”。
关注「KIA半导体」,做优秀工程师!
长按二维码识别关注
阅读原文可一键关注+技术总汇