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KIA原厂家mos场效应管 KNP6140A N沟道 10A /400V PDF文件下载-KIA官网

信息来源:本站 日期:2018-03-16 

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1、KNP6140A特征

专有的新平面技术

RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V

低门电荷最小化开关损耗

快速恢复体二极管


2、KNP6140A产品应用

镇流器和照明

DC-AC逆变器

其他应用程序


3、KNP6140A产品参数

产品型号:KNP6140A

工作方式:10A/400V

漏源电压:400V

栅源电压:±30A

漏电流连续:10A

脉冲漏极电流:6A

雪崩能量:650mJ

耗散功率:140W

热电阻:62℃/W

漏源击穿电压:400V

栅极阈值电压:2.0V

输入电容:1254PF

输出电容:21PF

上升时间:25ns

封装形式:TO-251、252


4、KNP6140A产品规格


KNP6140A N沟道MOSFET
产品编号 KNP6140A 10A/400V
产品特征

专有的新平面技术

RDS(ON),典型值=0.35Ω@VGS =10V

低门电荷最小化开关损耗

快速恢复体二极管

应用范围

镇流器和照明

DC-AC逆变器

其他应用程序

封装形式 TO-220、TO-220F
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厂家 KIA原厂家
网址 www.kiaic.com
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联系方式:邹先生

联系电话:0755-83888366-8022

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QQ:2880195519

联系地址:深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1


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