本文简要比较了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分电气性能参数并分析了这些电气参数对电路设计的影响，并且根据SiC Mosfet管开关特性和高压高频的应用环境特点，推荐了金升阳可简化设计隔离驱动电路的SIC驱动电源模块。

一、SiC Mosfet

以SiC为衬底的Mosfet管因为其输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，具有靠多数载流子工作导电特性，没有少数载流子导电工作所需要的存储时间，因而开关速度快，工作频率可到500kHz，甚至MHz以上。但是随着其反向耐压的提高，通态电阻也急剧上升，从而限制了其在高压场合的应用。IGBT具有高反向耐压和大电流特性，但是对驱动电路要求很严格，并且不适合工作在高频场合，一般IGBT的工作频率为20kHz以下。

SiC作为一种宽禁代半导体器件，具有饱和电子漂移速度高、电场击穿强度高、介电常数低和热导率高等特性。以SiC为衬底的Mosfet管具有阻断电压高、工作频率高且耐高温能力强，同时又具有通态电阻低和开关损耗小等特点，是高频高压场合功率密度提高和效率提高的应用趋势。

二、SiC Mosfet与Si IGBT性能对比

目前市面上常见的SiC Mosfet电流均不大于50A，以常见的1200V/20A为例，列举了SiC Mosfet管的部分电气参数；同样例举了1200V/20A Si IGBT系列的电气参数进行比较；

通过表格性能对比，可以看出，SiC Mosfet有三个方面的性能是明显优于Si IGBT：

1.极其低的导通电阻RDS（ON），导致了极其优越的正向压降和导通损耗，更能适应高温环境下工作；

2.SiC Mosfet管具有Si Mosfet管的输入特性，即相当低的栅极电荷，导致性能卓越的切换速率；

3. 宽禁带宽度材料，具有相当低的漏电流，更能适应高电压的环境应用；

三、驱动电路要求

Sic Mosfet具有与Si Mosfet管非常类似的开关特性，通过对Si Mosfet的特性研究，其驱动电路具有相同的特性：

1. 对于驱动电路来讲，最重要的参数是门极电荷，Mosfet管的栅极输入端相当于是一个容性网络，因此器件在稳定导通时间或者关断的截止时间并不需要驱动电流，但是在器件开关过程中，栅极的输入电容需要充电和放电，此时栅极驱动电路必须提供足够大的充放电脉冲电流。如果器件工作频率越快，栅极电容的充放电时间要求越短，则要求输入的栅极电容越小，驱动的脉冲电流越大才能满足驱动要求；

2.栅极驱动电路必须合理选择一定的驱动电压，栅极的驱动电压越高，则Mosfet的感应导电沟道越大，则导通电阻越小；但是栅极驱动电压太大的话，很容易将栅极和漏极之间绝缘层击穿，造成Mosfet管的永久失效；

3.为了增加开关管的速度，减少开关管的关断时间是有必要的；且为了提高Mosfet管在关断状态下的工作可靠性，将驱动电路设计成在关断状态的时候，在栅极加上反向偏置电压，以快速释放栅极输入电容的电荷，减少了关断时间，使得驱动电路更可靠地关断Mosfet；但是反向的驱动电压会增加电路损耗，反向偏置电压最好不要超过-6V；

4.当驱动对象是全桥或者半桥电路的功率Mosfet，或者是为了提高控制电路的抗干扰能力，此时将驱动电路设计成隔离驱动电路；实现电隔离的方式可以通过磁耦合变压器和光耦合器件；但是不管采用磁耦合变压器还是光耦合器件，都要保证耦合器件的延迟时间与耦合分布电容；采用的隔离电源也必须具有高隔离、快速响应时间与低耦合电容的特性。

四、隔离电源特性需求

从驱动电路的特性来看，要求驱动电源具有以下特性：

1.为了适应高频率的使用要求，要求驱动电源具有瞬时的驱动大功率特性，即要求具有大的容性负载能力；

2.为了适应高电压应用使用要求，要求驱动电源具有高耐压能力并且具有超低的隔离电容，来减少高压总线部分对低压控制侧的干扰；

3.隔离驱动电源必须具有合适的驱动电压，即要求电源具有正负输出电压，并且正负输出电压不是对称输出特性；

针对SiC隔离驱动电路的特点，推出了SiC Mosfet驱动专用电源QA01C。该电源电气性能参数全部达到SiC Mosfet驱动电路的要求，如：

不对称驱动电压，输出电压 +20/-4VDC 输出电流+100/-100mA

大容性负载能力，容性负载为220uF

高隔离电压，达到3500VAC

极低的隔离电容，低至3.5pF

此驱动电源还满足了其他性能参数特点，具体功能如下：

效率高达83%

工作温度范围: -40℃ ~ +105℃

可持续短路保护

QA01C具有完整的驱动电路推荐，通过SiC驱动专用电源得到不对称的正向驱动电压20V，负向偏置关断电压-4V；为了防止驱动电压对栅极造成损坏，增加D2和D3来吸收尖峰电压是很有必要的。SiC驱动器采用一般驱动芯片即可；为了实现控制信号与主功率回路的隔离，需要采取隔离措施，推荐采用常见的光耦隔离方案。采用的光耦必须具有高共模抑制比（30KV/us）和比隔离电源大的隔离耐压并且具有极小的延迟时间来适应SiC Mosfet管的高频率工作特性。

五、功率晶体管的结构与特征比较

下图是各功率晶体管的结构、耐压、导通电阻、开关速度的比较。

使用的工艺技术不同结构也不同，因而电气特征也不同。补充说明一下，DMOS是平面型的MOSFET，是常见的结构。Si的功率MOSFET，因其高耐压且可降低导通电阻，近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。

在特征方面，Si-DMOS存在导通电阻方面的课题，如前所述通过采用SJ-MOSFET结构来改善导通电阻。IGBT在导通电阻和耐压方面表现优异，但存在开关速度方面的课题。SiC-DMOS在耐压、导通电阻、开关速度方面表现都很优异，而且在高温条件下的工作也表现良好，可以说是具有极大优势的开关元件。

这张图是各晶体管标准化的导通电阻和耐压图表。从图中可以看出，理论上SiC-DMOS的耐压能力更高，可制作低导通电阻的晶体管。目前SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。

六、总结

通过对SiC Mosfet管与Si IGBT管相关电气参数进行比较，我们发现SiC Mosfet将成为高压高频场合下的应用趋势。根据对SiC Mosfet管的开关特性的研究，推荐了能简化其隔离设计的专用电源QA01C，同时也推荐了基于SiC Mosfet的驱动电路。

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