1.KPX8610Cmos管特征
RDS (on) = 42m VGS=10V
100%EAS保证
兼容RoHS
超低门电荷
Cdv/dt效应下降
先进的高密度槽道技术
2.KPX8610Cmos管描述
该KPX8610C采用先进的沟道MOSFET技术，提供优良的R DS（ON）和其他应用范围
KPX8610C可满足RoHS和Green的需求，适用于许多其它应用。
KPX8610C产品要求：100%EAS保证，功能可靠。
3.KPX8610C参数范围
产品型号：KPX8610C
工作方式：-35A/-100V
漏源电压：-1000V
栅源电压：±20A
漏电流连续：-35A
脉冲漏极电流：100A
雪崩能量：345mJ
耗散功率：104W
热电阻：62℃/V
漏源击穿电压：-1μA
栅极阈值电压：-1.0V
输入电容：4060PF
输出电容：120PF
上升时间：50ns
封装形式：TO-251、252
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
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QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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