一、12N60H产品描述
N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高压、高速功率开关应用而设计的,如高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等
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二、12N60H产品特征
RDS(on)=0.53@VGS=10V
低栅电荷(典型的52nC)
快速交换能力
雪崩能量指定值
改进的dv/dt能力
三、12N60H引脚图
G:gate 栅极S:source 源极D:drain 漏极
MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D,输出S,P沟道的电源一般接在S,输出D。
四、12N60H参数范围
产品型号:KIA12N60H
工作方式:12A/600V
漏源电压:600V
栅源电压:±30A
漏电流连续:12A
脉冲漏极电流:48A
雪崩能量:865mJ
耗散功率:231W
热电阻:62.5℃/V
漏源击穿电压:600V
温度系数:0.7V/℃
栅极阈值电压:2.0V
输入电容:1850PF
输出电容:180PF
上升时间:90ns
封装形式:TO-220、220F
五、12N60H电路图和波形
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