一、12N60H产品描述
N沟道增强型硅栅功率MOSFET是专为高压、高速功率开关应用而设计的，如高效率开关电源、有源功率因数校正、基于半桥拓扑的电子灯镇流器等
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二、12N60H产品特征
RDS（on）=0.53@VGS=10V
低栅电荷（典型的52nC）
快速交换能力
雪崩能量指定值
改进的dv/dt能力
三、12N60H引脚图
G：gate 栅极S：source 源极D：drain 漏极
MOS管是金属(Metal)—氧化物(Oxid)—半导体(Semiconductor)场效应晶体管。市面上常有的一般为N沟道和P沟道。N沟道的电源一般接在D，输出S，P沟道的电源一般接在S，输出D。
四、12N60H参数范围
产品型号：KIA12N60H
工作方式：12A/600V
漏源电压：600V
栅源电压：±30A
漏电流连续：12A
脉冲漏极电流：48A
雪崩能量：865mJ
耗散功率：231W
热电阻：62.5℃/V
漏源击穿电压：600V
温度系数：0.7V/℃
栅极阈值电压：2.0V
输入电容：1850PF
输出电容：180PF
上升时间：90ns
封装形式：TO-220、220F
五、12N60H电路图和波形
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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