1、KIA6706A产品描述
KIA6706A是一种高细胞密度沟槽N-ch MOSFETs，它提供了优良的RDSON和门电荷为大多数同步降压变换器的应用。KIA6706A满足碳氢化合物和绿色产品要求。
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2、KIA6706A产品特征
RDS(on)=7.5mΩ(键入)@VGS=10V
超低门电荷
绿色设备可用
Cdv/dt效应下降
先进的高密度槽道技术
3、KIA6706A产品参数
产品型号：KIA6706A
工作方式：18A/60V
漏源电压：60V
栅源电压：±20A
漏电流连续：18A
脉冲漏极电流：75A
雪崩电流：40A
雪崩能量：80mJ
耗散功率：2.7W
热电阻：45℃/V
漏源击穿电压：60V
栅极阈值电压：1.2V
输入电容：3307PF
输出电容：201PF
上升时间：41.2ns
封装形式：SOP-8
联系方式：邹先生
联系电话：0755-83888366-8022
手机：18123972950
QQ：2880195519
联系地址：深圳市福田区车公庙天安数码城天吉大厦CD座5C1
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