① 开启电压VGS(th) (或VT)
开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通
② 夹断电压VGS(off) (或VP)
夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时，漏极电流为零
③ 饱和漏极电流IDSS
耗尽型场效应三极管，当VGS=0时所对应的漏极电流
④ 输入电阻RGS
场效应三极管的栅源输入电阻的典型值，对于结型场效应三极管，反偏时RGS约大于107Ω，对于绝缘栅场型效应三极管，RGS约是109～1015Ω
⑤ 低频跨导gm
低频跨导反映了栅压对漏极电流的控制作用，这一点与电子管的控制作用十分相像。gm可以在转移特性曲线上求取，单位是mS(毫西门子)
⑥ 最大漏极功耗PDM
最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当
|
Part Numbe |
ID（A） |
BVDSS（V） |
RDS（ON）（Ω） |
Package |
|
KIA2301 |
-2.8 |
-20 |
0.12 |
SOT-23 |
|
KIA2305 |
-3.5 |
-20 |
0.055 |
SOT-23 |
|
KIA3401 |
-4 |
-30 |
0.06 |
SOT-23 |
|
KIA3407 |
-4.1 |
-30 |
0.06 |
SOT-23 |
|
KIA3409 |
-2.6 |
-30 |
0.13 |
SOT-23 |
|
KIA3415 |
-4 |
-16 |
0.045 |
SOT-23 |
|
KIA3423 |
-2 |
-20 |
0.092 |
SOT-23 |
|
KIA4953 |
-5.3 |
-30 |
0.063 |
SOP-8 |
|
KIA9435 |
-5.3 |
-30 |
0.06 |
SOP-8 |
|
KIA7P03A |
-7.5 |
-30 |
0.018 |
SOP-8 |
|
KIA4435 |
-10.5 |
-30 |
0.018 |
SOP-8 |
|
Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（v） |
内阻（小） |
内阻（大） |
ciss |
Package |
|
|
pF |
|||||||
|
KIA23P10A |
-23 |
-100 |
0.95 |
0.078 |
3029 |
TO-252 |
|
|
KIA35P10A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
4920 |
TO-252 |
|
|
KPD8610A |
-35 |
-100 |
0.055 |
0.042 |
6516 |
TO-252 |
|
|
Part Numbe |
ID（A） |
VDSS（v） |
内阻（小） |
内阻（大） |
ciss |
Package |
|
pF |
||||||
|
KIA9N90H |
9 |
900 |
1.4 |
1.12 |
2780 |
TO-247 |
|
KAI18N50H |
18 |
500 |
0.32 |
0.25 |
2500 |
TO-247 |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.26 |
0.21 |
2700 |
TO-247 |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.2 |
0.16 |
3500 |
TO-247 |
|
KIA3306A |
80 |
60 |
0.008 |
0.007 |
3390 |
TO-247 |
|
KNM3308A |
80 |
80 |
0.09 |
0.0062 |
3110 |
TO-247 |
|
KIA2906A |
130 |
60 |
0.007 |
0.0055 |
3100 |
TO-247 |
|
KIA2807N |
150 |
75 |
0.006 |
0.005 |
7200 |
TO-247 |
|
KIA2808A |
150 |
80 |
0.0045 |
0.004 |
6109 |
TO-247 |
|
KIA2806A |
160 |
40 |
0.0045 |
0.0035 |
4376 |
TO-247 |
|
KIA2804A |
190 |
60 |
0.0035 |
0.0022 |
4800 |
TO-247 |
|
KIA2N60H |
2 |
600 |
5 |
4.1 |
200 |
TO-220F |
|
KIA3N80H |
3 |
800 |
4.8 |
4 |
543 |
TO-220F |
|
KNF4360A |
4 |
600 |
2.3 |
1.9 |
511 |
TO-220F |
|
KIA4N60H |
4 |
600 |
2.7 |
2.3 |
500 |
TO-220F |
|
KIA730H |
6 |
400 |
1 |
0.83 |
520 |
TO-220F |
|
KIA9N90H |
9 |
900 |
1.4 |
1.12 |
2780 |
TO-3P |
|
KIA10N80H |
10 |
800 |
1.1 |
0.85 |
2230 |
TO-3P |
|
KIA16N50H |
16 |
500 |
0.38 |
0.32 |
2200 |
TO-3P |
|
KIA18N50H |
18 |
500 |
0.32 |
0.25 |
2500 |
TO-3P |
|
KIA20N40H |
20 |
400 |
0.25 |
0.2 |
2135 |
TO-3P |
|
KIA20N50H |
20 |
500 |
0.26 |
0.21 |
2700 |
TO-3P |
|
KIA24N50H |
24 |
500 |
0.2 |
0.16 |
3500 |
TO-3P |
|
KNH8150A |
30 |
500 |
0.065 |
0.15 |
4150 |
TO-3P |
|
KNH9120A |
40 |
200 |
0.1 |
0.05 |
2800 |
TO-3P |
金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类， P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P+区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，柵极上加有足够的正电压(源极接地)时，柵极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为衔接源极和漏极的沟道。改动栅压可以改动沟道中的电子密度，从而改动沟道的电阻。这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。假设N型硅衬底表面不加栅压就已存在P型反型层沟道，加上恰当的偏压，可使沟道的电阻增大或减小。这样的MOS场效应晶体管称为P沟道耗尽型场效应晶体管。统称为PMOS晶体管。
P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值普通偏高，恳求有较高的工作电压。它的供电电源的电压大小和极性，与双极型晶体管——晶体管逻辑电路不兼容。PMOS因逻辑摆幅大，充电放电过程长，加之器件跨导小，所以工作速度更低，在NMOS电路(见N沟道金属—氧化物—半导体集成电路)呈现之后，多数已为NMOS电路所取代。只是，因PMOS电路工艺简单，价钱低价，有些中范围和小范围数字控制电路仍采用PMOS电路技术。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适宜用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。但是，固然PMOS可以很便当地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价钱贵，交流种类少等缘由，在高端驱动中，通常还是运用NMOS。
正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压Vds应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs也应为负。
1．Ｖds≠Ｏ的情况导电沟道构成以后，ＤＳ间加负向电压时，那么在源极与漏极之间将有漏极电流Ｉd流通，而且Ｉd随Vds而增加．Ｉd沿沟道产生的压降使沟道上各点与栅极间的电压不再相等，该电压削弱了栅极中负电荷电场的作用，使沟道从漏极到源极逐渐变窄．当Ｖds增大到使Ｖgd＝Ｖgs（TH），沟道在漏极左近呈现预夹断．
2．导电沟道的构成（Ｖds＝0）当Vds=0时，在栅源之间加负电压Vgs，由于绝缘层的存在，故没有电流，但是金属栅极被补充电而聚集负电荷，Ｎ型半导体中的多子电子被负电荷排斥向体内运动，表面留下带正电的离子，构成耗尽层，随着Ｇ、Ｓ间负电压的增加，耗尽层加宽，当Vgs增大到一定值时，衬底中的空穴（少子）被栅极中的负电荷吸收到表面，在耗尽层和绝缘层之间构成一个Ｐ型薄层，称反型层，这个反型层就构成漏源之间的导电沟道，这时的Ｖgs称为开启电压Vgs（th），Vgs到Vgs（th）后再增加，衬底表面感应的空穴越多，反型层加宽，而耗尽层的宽度却不再变化，这样我们可以用Vgs的大小控制导电沟道的宽度。
联系方式：邹先生
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