如下图所示R5模拟后级负载，Q1为开关，当R3端口的激励源为高电平时，Q2饱和导通...如下图所示R5模拟后级负载，Q1为开关，当R3端口的激励源为高电平时，Q2饱和导通，MOS管Q1的VGS
在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，功率MOSFET工作在开关状态，将输入的电流...在PFC电路中，常用的结构是BOOST电路，功率MOSFET工作在开关状态，将输入的电流斩波为和输入正弦波电压同相位的、具有正弦波包络线的开关电流波形，从而提高输入的...
MOS管3203 30V100A参数-特点 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先进沟槽MO...MOS管3203 30V100A参数-特点 RDS(on)=3.1mΩ@VGS=10V 采用CRM(CQ)先进沟槽MOS技术 极低通阻RDS(通) 符合JEDEC标准
MOS管有如下参数： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Cur...MOS管有如下参数： Operating Junction ：Tmin-Tmax。 Continuous Drain Current（Rjc）：I（T=Tc）。 Power Dissipation（Rjc）：P(T=Tc)。
1、跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压(Vbe类似)高...1、跟双极性晶体管相比,一般认为使MOS管导通不需要电流,只要GS电压(Vbe类似)高于一定的值,就可以了。 MOS管和晶体管向比较 c ,b ,e —–> d （漏）, g（栅） , s...
驱动电压10V，驱动信号为PWM波，占空比为50%，频率为1Mhz，寄生电感10nH，MOS管...驱动电压10V，驱动信号为PWM波，占空比为50%，频率为1Mhz，寄生电感10nH，MOS管寄生电容为1nF，栅极串联电阻为20Ω，这个电阻消耗的功率是多大？
