由于换能器发出的超声波前辐射面声压同施加电压对时间的导数dU/dt成正比，尽量...由于换能器发出的超声波前辐射面声压同施加电压对时间的导数dU/dt成正比，尽量缩短激励脉冲上升时间至关重要。激励脉冲的上升时间主要取决于MOS管的导通速度。
过冲和下冲原理是一样的，这里以过冲为例子分析。上面mos管打开的瞬间，可以等...过冲和下冲原理是一样的，这里以过冲为例子分析。上面mos管打开的瞬间，可以等效为上图开关闭合的瞬间。可以理解给了一个阶跃信号，因此电压过冲是该RCL电路对阶跃...
在推挽式驱动结构中，当互补MOSFET开启时，正常情况下漏极电压会升至直流电源电...在推挽式驱动结构中，当互补MOSFET开启时，正常情况下漏极电压会升至直流电源电压的两倍(或者本例中的30V)。然而，如图1所示，尖峰电压却高达54V。在MOSFET关闭以...
为了降低开关节点产生的尖峰电压，可考虑增加RC缓冲电路。在下面的示例中，整流...为了降低开关节点产生的尖峰电压，可考虑增加RC缓冲电路。在下面的示例中，整流二极管关断（高边开关导通）时，RC缓冲电路可将二极管的接合部、寄生电感、寄生电容...
保证开关管在开、关过程中du/dt、di/dt足够小，限制开关管上的电压或电流峰值，...保证开关管在开、关过程中du/dt、di/dt足够小，限制开关管上的电压或电流峰值，从而保证开关管正确可靠地运行；并降低EMI的水平。
MOSFET的电流增益特征频率fT，用于表征MOSFET的电流放大的最高工作频率。MOSFET的电流增益特征频率fT，用于表征MOSFET的电流放大的最高工作频率。
