首先在原理图中放上器件，以NMOS为例子，同时分别设置好NMOS沟道长度和宽度，还...首先在原理图中放上器件，以NMOS为例子，同时分别设置好NMOS沟道长度和宽度，还有将对应器件电压也设置成变量，设成变量方面后面仿真条件下修改参数。
RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先进的沟槽技术 低栅电荷 高电流能力 ...RDS(on) =2.2mΩ（typ.) @ VGS =10V 先进的沟槽技术 低栅电荷 高电流能力 符合RoHS和无卤素标准
全桥电路在实际的项目中运用的也比较多(比如电机，半导体制冷片等)，有时候全桥...全桥电路在实际的项目中运用的也比较多(比如电机，半导体制冷片等)，有时候全桥芯片会达不到我们的需求(比如功率特别大的时候)，这时就需要搭建一个符合我们需求的...
通过公式1算出电容值应为1μF左右，但在实际应用中存在这样的问题，即当占空比...通过公式1算出电容值应为1μF左右，但在实际应用中存在这样的问题，即当占空比接近100%（见图3a）时，由于占空比很大，在每次上桥关断后Vs电压不能完全回零，导致...
在实际调试MOS管驱动电路时，如果大家用示波器测一下MOS管gate极的波形，就会发...在实际调试MOS管驱动电路时，如果大家用示波器测一下MOS管gate极的波形，就会发现MOS管每次打开时，其栅极波形会出现类似于正弦波的阻尼振荡，这不仅使得MOS开关不...
MOS管3503 70A30V参数-特征 RDS（开）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先进的沟槽...MOS管3503 70A30V参数-特征 RDS（开）=2.6mΩ（典型值）@VGS=10V 先进的沟槽技术 低门电荷 高电流能力
