对于VMOS而言，栅极悬空无论是何种条件下都是应该尽量避免的，稍有不慎，就会导...对于VMOS而言，栅极悬空无论是何种条件下都是应该尽量避免的，稍有不慎，就会导致VMOS击穿损坏。这时候的击穿一般是栅极与源极击穿，而不管源极、漏极间的电压是高...
MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互补型金属氧化物半...MOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor，互补型金属氧化物半导体)是目前比拟成熟的半导休集成下艺之一，能够了解为集成电路中的横向构造MOSFET...
HEXMOS与管芯构造 为了增加水龙头的流量，水龙头能够将口径做得很大，这时分...HEXMOS与管芯构造 为了增加水龙头的流量，水龙头能够将口径做得很大，这时分的水龙头一般称为“阀门”，当然也能够用多个小口径的水龙头来替代，只是工程上很少...
目前大致有两种办法，一种是用两个相同的半导体构建栅区，这两个栅区就像水龙头...目前大致有两种办法，一种是用两个相同的半导体构建栅区，这两个栅区就像水龙头的阀芯与阀座，所不同的是，阀座是固定的，而两个栅区都是“挪动”的，即两个栅区同...
场效应管只靠“多子”米导电，换言之，只靠一种极性的载流子导电；而BJT（双极...场效应管只靠“多子”米导电，换言之，只靠一种极性的载流子导电；而BJT（双极性晶体管）则同时靠“多子”和与之极性相反的“少子”停止导电，因而场效应管属于单...
材料的导电性是由材料中的自由电子(Extra electron)的数量决定的。从能量的角度...材料的导电性是由材料中的自由电子(Extra electron)的数量决定的。从能量的角度来看，自由电子的能量比较高，因此往外力的作用下（电场等）可以自由移动，如果将它...
