开关损耗，指的是在芯片内部，上臂的MOS管或者下臂管的MOS管再打开和关闭的器件...开关损耗，指的是在芯片内部，上臂的MOS管或者下臂管的MOS管再打开和关闭的器件产生的功耗。如图一的显示两种开关电源控制芯片内部架构，以BUCK的方式为例。
图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于Q1是一个P沟道管，它的...图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压I...
MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向...MOS管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型MOS管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。
KIA4610A是高密度N沟道MOS管，具有优良的RDSON和栅极特性，为大多数同步降压变...KIA4610A是高密度N沟道MOS管，具有优良的RDSON和栅极特性，为大多数同步降压变换器应用充电。KIA4610A符合RoHs和绿色产品要求。
KIA6706A是高单元密度沟槽式N-ch MOSFET，可提供出色的RDSON；大多数同步buck变...KIA6706A是高单元密度沟槽式N-ch MOSFET，可提供出色的RDSON；大多数同步buck变换器应用的门极电荷。KIA6706A符合RoHs和绿色产品要求。
低功耗按照类型分类，其构成主要有动态功耗、静态功耗、浪涌功耗这三种。 1）...低功耗按照类型分类，其构成主要有动态功耗、静态功耗、浪涌功耗这三种。 1）动态功耗 动态功耗包括：开关功耗或者称为翻转功耗、短路功耗或者称为内部功耗。
