向传输电容 Crss = CGD . Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD . Ciss:输入电容...向传输电容 Crss = CGD . Coss:输出电容 Coss = CDS +CGD . Ciss:输入电容 Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路). Tf :下降时刻.输出电压 VDS 从 10% 上升到其幅值 9...
MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconduct...MOS管,即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体,确切的说,这个名字描写了集成电路中MOS管的构造,即:在一...
MOS管功放具有鼓励功率小,输出功率大,输出漏极电流具有负温度系数,安全可靠...MOS管功放具有鼓励功率小,输出功率大,输出漏极电流具有负温度系数,安全可靠,且有工作频率高,偏置简略等长处。 MOS管主驱动电路的输出端与MOS管的栅极电衔接,...
N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)构造的晶体管简...N沟MOS晶体管金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-SemIConductor)构造的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而P...
MOS管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管...MOS管是金属(metal)-氧化物(oxid)-半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他...
在一般分布式MOSFET元件(discrete device)中,通常把基极和源极接在一起,故...在一般分布式MOSFET元件(discrete device)中,通常把基极和源极接在一起,故分布式MOSFET通常为三端元件。而在集成电路中的MOSFET通常因为使用同一个基极(comm...