MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪...MOSFET是一种常见的电压型控制器件，具有开关速度快、高频性能、输入阻抗高、噪声小、驱动功率小、动态范围大、安全工作区域(SOA)宽等一系列的优点，因此被广泛的...
KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（on），低栅极电荷并在低至2.5V的栅...KIA3400采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS（on），低栅极电荷并在低至2.5V的栅极电压下运行。该装置适用于负载开关或PWM应用。标准产品KIA3400是无铅的（符合ROH...
相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂...相移全桥电路中轻负载时流过的电流小，LS中积蓄的能量少，所以很有可能在滞后臂的COSS充放电完成之前就开始开关工作。因此，ZVS工作无法执行，很容易发生MOSFET的...
例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V...例如，许多中高压MOSFET（250V及以上）具有平面MOS（π-MOS）结构，而小于200V的产品大多具有沟槽MOS（U-MOS）结构。因此，当耐受电压VDSS＝600V时，Rdrift成为主...
N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D ...N沟道3.5A30V KIA2306 MOS管特征 VDS =30V,R DS(on) =0.057Ω@V GS =10V,I D =3.5A VDS =30V,R DS(on) =0.094Ω@V GS =4.5V,I D =2.8A 功率MOSFET 100%测试
通过模型导出的器件Model通常是一个四端口网络，这是在实际器件中衬底也是需要...通过模型导出的器件Model通常是一个四端口网络，这是在实际器件中衬底也是需要接参考的。 通常NMOS器件衬底接地（或最低电平），相对应PMOS器件衬底接电源（或最...
