MOS管2301 -2.8A-20V产品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A ...MOS管2301 -2.8A-20V产品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.12Ω@VGS=-4.5V,ID=-2.8A VDS=-20V,RDS(on)=0.19Ω@VGS=-2.5V,ID=-1.8A
超高耐压的器件主要应用场景为工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩，光...超高耐压的器件主要应用场景为工业三相智能电表、LED照明驱动电源、充电桩，光伏逆变器等辅助电源。 国内专注研发优质MOS管厂家KIA半导体生产的超高压MOSFET--KN...
MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大...MOS管导通时，Rds会从无穷大将至Rds(on)(一般0.1欧姆级或者更低)。栅极电阻过大时，MOS管导通速度过慢，即Rds的减小要经过一段时间，高压时Rds会消耗大量功率，导...
KIA12N65H N沟道增强型MOSFET；12N65参数650V12A；12N65引脚TO-220F；12N65场效...KIA12N65H N沟道增强型MOSFET；12N65参数650V12A；12N65引脚TO-220F；12N65场效应管中文资料规格书12N65引脚图
这些N沟道增强模式的功率场效应晶体管是用KIA半导体制造的专有、平面、DMOS技术...这些N沟道增强模式的功率场效应晶体管是用KIA半导体制造的专有、平面、DMOS技术。这项先进的技术经过了特别的调整，以使其最小化通态电阻，提供优越的开关性能，并...
MOSFET的失效很多都是由于过热导致的，那么在选件选型，电路设计及PCB布局时就...MOSFET的失效很多都是由于过热导致的，那么在选件选型，电路设计及PCB布局时就要格外注意应用情况和设计余量，确保MOSFET的Tj不会超过其最大值。
