如果MOS的Drink极电压为12V，Source极电压原为0V，Gate极驱动电压也为12V，那么...如果MOS的Drink极电压为12V，Source极电压原为0V，Gate极驱动电压也为12V，那么当MOS在导通瞬间，Soure极电压会升高为Drink减压减去一个很小的导通压降，那么Vgs电...
CMOS逻辑电路，分两部分，上拉部分，下拉部分。上拉部分由PMOS管电路构成，下拉...CMOS逻辑电路，分两部分，上拉部分，下拉部分。上拉部分由PMOS管电路构成，下拉部分由NMOS管电路组成，如下。上下拉，形成互补。
由于MOS管截止时漏极和源极之间的内阻Ror非常大,所以截止状态下的等效电路可以...由于MOS管截止时漏极和源极之间的内阻Ror非常大,所以截止状态下的等效电路可以用断开的开关代替,如图a所示。MOS管导通状态下的内阻RoN约在1kΩ以内,而且与VGs的数...
NMOS管的主回路电流方向为D极到S极，导通条件为VGS有一定的压差，即VG-VS>VTH；...NMOS管的主回路电流方向为D极到S极，导通条件为VGS有一定的压差，即VG-VS>VTH；PMOS管的主回路电流方向为S极到G极，导通条件为VSG有一定的压差，即VS-VG>VTH。故一...
当5V没接入时，PMOS管的栅极通过电阻R1下拉到地（0V），锂电池BAT（3.7~4.2V）...当5V没接入时，PMOS管的栅极通过电阻R1下拉到地（0V），锂电池BAT（3.7~4.2V）通过MOS管的内部体二极管到达源极，源极电压为（3~3.5）V，此时Ugs为（-3.5）V到（-...
1、VSSS耐压 按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS1从0V以0.1V步增，逐渐增加...1、VSSS耐压 按下图连接测试电路，设置VGS=0V，VSS1从0V以0.1V步增，逐渐增加电压至IS=1mA,且MOS无损毁，记录VSS1的电压。
