在某些应用中,如电池充电电路中, B点是充电器接口, C点是电池接口，为了防止充...在某些应用中,如电池充电电路中, B点是充电器接口, C点是电池接口，为了防止充电器拔掉时,电池电压出现在充电接口。 (Q1、Q2、Q3共同组成防倒灌电路)注意Q3的DS反...
主要保护GS极，限制Vgs间的最大电压。 (其一)保护DS极，其二)起到回流二极管作...主要保护GS极，限制Vgs间的最大电压。 (其一)保护DS极，其二)起到回流二极管作用，其三)为过电流或电感提供反向通路，其四)防止d、s极反向连接，其五)隔离。
1、左边电路负载是接在S极对地，如果R1很小且Q1-G极一直为High，那么流过Q1的电...1、左边电路负载是接在S极对地，如果R1很小且Q1-G极一直为High，那么流过Q1的电流可能将会非常大，MOS管容易烧；
20A 500V场效应管 KNX7150A-产品特征 1、专有新平面技术 2、RDS(ON),typ.=0....20A 500V场效应管 KNX7150A-产品特征 1、专有新平面技术 2、RDS(ON),typ.=0.24Ω@VGS =10V 3、低栅极电荷最小化开关损耗 4、快恢复体二极管
从输出特性曲线可以看出，只要Vgs大于截止电压4.5V，DS就可以导通了。测试时直...从输出特性曲线可以看出，只要Vgs大于截止电压4.5V，DS就可以导通了。测试时直接使Vgs=+12V，Vds=+48V，负载电流最大可达到50A。为了方便单片机控制Vgs，可加一个...
自举电路 作用：在高端和低端MOS管中提到过，由于负载（电机）相对于高端和低...自举电路 作用：在高端和低端MOS管中提到过，由于负载（电机）相对于高端和低端的位置不同，而MOS的开启条件为Vgs>Vth，这便会导致想要高端MOS导通，则其栅极对地...
