KNY2803A场效应管漏源电压30V,漏极电流150A,采用先进的沟槽加工技术,实现极...KNY2803A场效应管漏源电压30V,漏极电流150A,采用先进的沟槽加工技术,实现极低的导通电阻RDS(开启) 2.2mΩ,最大限度地减少导通损耗;低栅极电荷、改进的dv/dt能...
当IO是高电平时,三极管Q1导通,GNDQ信号传递到MOS管Q3的G极,此时Vgs=-20V,M...当IO是高电平时,三极管Q1导通,GNDQ信号传递到MOS管Q3的G极,此时Vgs=-20V,MOS管导通。 当IO是低电平时,三极管Q1关闭,20V信号传递到MOS管QQ3的G极,此时Vgs=...
对于NPN来说,使Ube
控制板mos管KNF6180A漏源击穿电压800V,漏极电流10A;采用专用新型技术生产,极...控制板mos管KNF6180A漏源击穿电压800V,漏极电流10A;采用专用新型技术生产,极低导通电阻RDS(开启) 1.0Ω,可最大限度地降低导通电阻,提供卓越的开关性能;快速...
热阻的符号为Rth和θ。 单位是℃/W(K/W)。 热阻是一个物理量,用于描述在有...热阻的符号为Rth和θ。 单位是℃/W(K/W)。 热阻是一个物理量,用于描述在有温度差的情况下,物体抵抗传热能力的强弱。热导率越好的物体,其热阻通常越低。
SOD-123封装尺寸与1206封装尺寸是对应的。1206封装尺寸为1.2mm×1.6mm,对应二...SOD-123封装尺寸与1206封装尺寸是对应的。1206封装尺寸为1.2mm×1.6mm,对应二极管SOD-123封装。 sod323长度比sod123短1.0毫米,宽度短0.3毫米,高度短0.1毫米。...