用单片机的PWM信号控制mos管的开通和关断，然后mos管后端接负载。 一个MOS管，...用单片机的PWM信号控制mos管的开通和关断，然后mos管后端接负载。 一个MOS管，PWM的占空比变化（比如从50到100%），MOS管输出电压（比如100V）会变化（在这样的情...
通过三极管作为中间级，来提高驱动能力和确保MOS管正常工作。 单片机I/O口的...通过三极管作为中间级，来提高驱动能力和确保MOS管正常工作。 单片机I/O口的电压通常较低，而MOS管需要较高的驱动电压才能达到饱和状态，因此直接驱动可能会导致...
最理想的 MOSFET 驱动器电路如图1所示。这种配置常用于升压（boost）、反激式和...最理想的 MOSFET 驱动器电路如图1所示。这种配置常用于升压（boost）、反激式和单开关的正激开关电源拓扑结构中。采用正确的布板技巧和选择合适的偏置电压旁路电容...
VT1为NPN型三极管，其基极输入信号的幅度只有5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较...VT1为NPN型三极管，其基极输入信号的幅度只有5V，而MOS场效应管VT2的开启电压较高，要想使其充分导通，其栅极驱动电压一般要求≥10V。
L为PCB走线电感，一般直走线为1nH/mm，考虑杂七杂八的因素，取L = Length+10（...L为PCB走线电感，一般直走线为1nH/mm，考虑杂七杂八的因素，取L = Length+10（nH），其中Length单位取mm。Rg为栅极驱动电阻，设驱动信号是12V峰值的方波，Cgs为MO...
利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则...利用自举升压结构将上拉驱动管N4的栅极（B点）电位抬升，使得UB》VDD+VTH ，则NMOS管N4工作在线性区，使得VDSN4 大大减小，最终可以实现驱动输出高电平达到VDD。而...
