MOSFET高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高...MOSFET高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压...
2306场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流为3.5A;高密度单元设计,极低的导通电...2306场效应管漏源击穿电压30V,漏极电流为3.5A;高密度单元设计,极低的导通电阻RDS(开启),最大限度地减少导电损耗,高效低耗;2306mos管具有低导通电阻、高开...
VT1和VT2构成多谐振荡器,振荡频率为5Hz。当电压下降时,为使频率不变,振荡器...VT1和VT2构成多谐振荡器,振荡频率为5Hz。当电压下降时,为使频率不变,振荡器由稳压管VD1稳压后供电。多谐振荡器输出输出的方波电压,直接推动VMOS大功率管,经变...
当u2是正半周期时,二极管Vd1和Vd2导通;而夺极管Vd3和Vd4截止,负载RL是的电流...当u2是正半周期时,二极管Vd1和Vd2导通;而夺极管Vd3和Vd4截止,负载RL是的电流是自上而下流过负载,负载上得到了与u 2正半周期相同的电压;在u 2的负半周,u 2的...
KND3308A场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流80A,极低的导通电阻RDS(开启) 6.2...KND3308A场效应管漏源击穿电压80V,漏极电流80A,极低的导通电阻RDS(开启) 6.2mΩ,最大限度地减少导电损耗;具有高雪崩电流,能够在额定工作条件下稳定运行,确保...
铜损主要是由于变压器线圈的电阻引起的,包括直流电阻损耗和集肤效应电阻损耗。...铜损主要是由于变压器线圈的电阻引起的,包括直流电阻损耗和集肤效应电阻损耗。直流电阻损耗由绕组导线的电阻与流过的电流有效值的平方决定,而集肤效应是由于在强...