锂电池保护板专用MOS管KNB3306B漏源击穿电压68V,漏极电流80A,低导通电阻RDS(...锂电池保护板专用MOS管KNB3306B漏源击穿电压68V,漏极电流80A,低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V,最大限度地减少导电损耗,最小化开关损耗;3306场效应管开关速度...
在亚阈值区,当漏端电压较大时,靠近栅极的漏端处会形成一个小的耗尽区。在此区...在亚阈值区,当漏端电压较大时,靠近栅极的漏端处会形成一个小的耗尽区。在此区域内,电场作用下会产生陷阱辅助的载流子,从而引发栅诱导的漏极泄露电流。当电场足...
当输入电源大于MOS管VGS最大电压,应增加D7稳压管防止电源电压过高击穿mos管。...当输入电源大于MOS管VGS最大电压,应增加D7稳压管防止电源电压过高击穿mos管。当电源正确接入时。电流的流向是从Vin到负载,在通过NMOS到GND。刚上电时因为NMOS管...
LED电源专用MOS管KNP2915A漏源击穿电压150V,漏极电流130A;采用先进的沟槽技术...LED电源专用MOS管KNP2915A漏源击穿电压150V,漏极电流130A;采用先进的沟槽技术,极低的导通电阻RDS(开启) 10mΩ;卓越的低Rds开启、低栅极电荷,最大限度地减少导...
确定电路中可能出现的最大电压。MOS管的VDSS应大于电路中的最大电压,一般要留...确定电路中可能出现的最大电压。MOS管的VDSS应大于电路中的最大电压,一般要留出一定的余量,通常为电路最大电压的1.5倍至 2倍,以确保在任何情况下MOS管都不会被...
MOSFET高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高...MOSFET高频特性好,可以工作频率可以达到几百kHz、上MHz,缺点是导通电阻大在高压大电流场合功耗较大;而IGBT在低频及较大功率场合下表现卓越,其导通电阻小,耐压...