举个例子,比如输入的栅源信号是Vgs+VGS,分析小信号时,只看Vgs,这样在电路中...举个例子,比如输入的栅源信号是Vgs+VGS,分析小信号时,只看Vgs,这样在电路中其作用产生的Ids为IDS关于VGS(直流信号)求偏导后乘以Vgs,这里的IDS关于VGS求偏导...
回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS ...回滞类的ESD器件包括NPN三极管、栅极接地 NMOS ( GGNMOS, Gate-grounded NMOS )、可控硅(SCR, siliconcontrolled rectifier)等。 非回滞类的ESD器件包括二极管、...
齐纳二极管( Zener Diodes ,也称稳压二极管 ) :利用齐纳二极管的反向击穿特...齐纳二极管( Zener Diodes ,也称稳压二极管 ) :利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容,这对于高速信号(例...
在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在...在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过预测可以将绝大多数设计修改仅限于增减元器件。通过调整PCB布局布线...
1、最大工作电压(Max Working Voltage) 允许长期连续施加在ESD保护器件两端的...1、最大工作电压(Max Working Voltage) 允许长期连续施加在ESD保护器件两端的电压(有效值),在此工作状态下ESD器件不导通,保持高阻状态,反向漏电流很小。
短路故障是导致SiC MOSFET失效的重要原因之一,尽管SiC MOSFET具有较好的导热性...短路故障是导致SiC MOSFET失效的重要原因之一,尽管SiC MOSFET具有较好的导热性能,但与Si器件和SiC MOSFET的短路性能相比,SiC MOSFET的短路保护在以下几个方面更...