当电源正接时，上电初期，Vs=Vg=Vin，由于NMOS寄生二极管的存在，NMOS的漏极与...当电源正接时，上电初期，Vs=Vg=Vin，由于NMOS寄生二极管的存在，NMOS的漏极与源极导通，Vs=Vd+0.7V，而Vd=GND，故Vs=0.7V左右，Vgs=Vin-Vd6，选型合理的话，Vgs＞...
用晶体管构成电压源和电流源电流。电压源就是共集电路，而电流源就是共基电路，...用晶体管构成电压源和电流源电流。电压源就是共集电路，而电流源就是共基电路，此两电路在实际工程中运用极广。另外，请注意到共集电极电路的输入端在基极而输出端...
加法器用于执行加法运算，减法器用于执行减法运算。加法器包括半加器和全加器，...加法器用于执行加法运算，减法器用于执行减法运算。加法器包括半加器和全加器，其中半加器用于相加两个单独的二进制位，全加器用于相加两个二进制位和一个进位输入...
实际上，为了实现理想的基极电流波形，可以方便地采用下图所示的基极输入回路（...实际上，为了实现理想的基极电流波形，可以方便地采用下图所示的基极输入回路（微分电路），图中与基极电阻RB并联的CB就称为增速电容器。在基极输入回路中增加一个...
沟道调制效应是指MOS晶体管中，当栅下沟道预夹断后，若继续增大漏源电压...沟道调制效应是指MOS晶体管中，当栅下沟道预夹断后，若继续增大漏源电压（Vds），夹断点会略向源极方向移动，导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小，有效...
静电保护器件（ESD） 是由一个或多个 TVS 晶粒采用不同的电路拓扑制成具有特定...静电保护器件（ESD） 是由一个或多个 TVS 晶粒采用不同的电路拓扑制成具有特定功能的多路或单路 ESD 保护器件。ESD反向并联于电路中，当电路正常工作时，ESD处于截...
