本文介绍的数字后端概念是沟道宽长比。是代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。这...本文介绍的数字后端概念是沟道宽长比。是代表着沟道宽度W与沟道长度L的比例。这也是CMOS集成电路的一个基本概念。沟道（channel）是指场效应晶体管中源区和漏区之...
导通功率损耗主要来源于功率电流在通态电阻Rds（（on）上产生的热。 从公式来...导通功率损耗主要来源于功率电流在通态电阻Rds（（on）上产生的热。 从公式来看，漏极电流IDS和温度系数K不变的前提下，降低通态损耗的方式/只有降低通态电阻Rds...
放大电路的小信号分析主要考虑三个参数，放大倍数、输入阻抗和输出阻抗，这三个...放大电路的小信号分析主要考虑三个参数，放大倍数、输入阻抗和输出阻抗，这三个参数直接影响实际电路中的小信号放大倍数。
一个合适的偏置电路设计是放大器工作的前提，偏置电路需要使MOSFET工作在饱和区...一个合适的偏置电路设计是放大器工作的前提，偏置电路需要使MOSFET工作在饱和区。如图图1，这是一个MOSFET放大器的最基本电路。
产生反型层或者使反型层消失，这都可以利用栅极电压来加以控制。使反型层产生或...产生反型层或者使反型层消失，这都可以利用栅极电压来加以控制。使反型层产生或者消失时的栅极电压就是器件的阈值电压VT。对于增强型器件，该阈值电压称为开启电压...
跨导gm（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数...跨导gm（Transconductance）是电子元件的一项属性。电导（G）是电阻（R）的倒数；而跨导则指输出端电流的变化值与输入端电压的变化值之间的比值。
