小电流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V介绍 KIA3409采用先进的沟槽技术,提供卓越...小电流PMOS管 KIA3409 -2.6A-30V介绍 KIA3409采用先进的沟槽技术,提供卓越的RDS(on)低栅极充电。这款产品适合用作负载开关或在脉宽调制应用中使用。是一款标...
(1)SJ-MOS在N层具有柱状P层(P柱层)。P层和N层交替排列。(参见图3-9(b))...(1)SJ-MOS在N层具有柱状P层(P柱层)。P层和N层交替排列。(参见图3-9(b)) (2)通过施加VDS,耗尽层在N层中扩展,但其在SJ-MOS中的扩展方式与在一般D-MOS中...
1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积,短路时候散热能力不及IGBT。 2、I...1、SiC MOSFET的晶元面积小于IGBT晶元面积,短路时候散热能力不及IGBT。 2、IGBT短路后能够退饱和(desaturation)进入线性区,电流不再增加,能够自我限流。
1、降压拓扑如上图,要想掌握降压电路,必须深刻理解拓扑结构,几乎所有降压DC...1、降压拓扑如上图,要想掌握降压电路,必须深刻理解拓扑结构,几乎所有降压DC to DC 都是基于此拓扑结构。 2、环路一,开关导通时的电流路径;环路二,开关闭合...
PFC的英文全称为“Power Factor Correction”,意思是“功率因数校正”,功率因...PFC的英文全称为“Power Factor Correction”,意思是“功率因数校正”,功率因数指的是有效功率与总耗电量(视在功率)之间的关系,也就是有效功率除以总耗电量(...
某些IGBT是单裸片组件,要么结合单片二极管作,要么不结合二极管;然而,大多数...某些IGBT是单裸片组件,要么结合单片二极管作,要么不结合二极管;然而,大多数IGBT结合了联合封装的二极管。大多数制造商提供单个θ值,用于计算结点至外壳热阻抗...