温度控制是MOSFET或IGBT功率模块有效工作的关键因素之一。尽管某些MOSFET配有内...温度控制是MOSFET或IGBT功率模块有效工作的关键因素之一。尽管某些MOSFET配有内部温度传感器 (体二极管),但其他方法也可以用来监控温度。
如图1所示,使用了P沟道的内置二极管的电路,此处二极管的主要作用是续流作用,...如图1所示,使用了P沟道的内置二极管的电路,此处二极管的主要作用是续流作用,电路是锂电池充放电电路,当外部电源断开时采用锂电池进行内部供电,即+5V电源断开...
3n150代替型号KNL42150A 3A1500V 产品特性: 高速开关 RDS(ON),typ.=6.5Ω@...3n150代替型号KNL42150A 3A1500V 产品特性: 高速开关 RDS(ON),typ.=6.5Ω@VGS=10V 全隔离塑料包装 应用程序: 切换应用程序
PMOS管-3.5A-20V KIA2305产品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3...PMOS管-3.5A-20V KIA2305产品特征 VDS=-20V,RDS(on)=0.055Ω@VGS=-4.5V,ID=-3.5A VDS=-20V,R DS(on)=0.075Ω@VGS=-2.5V,ID=-3.0A VDS=-20V,R DS(on)=0.095Ω@V...
为提高大功率电源SiP 效率,一般将传统开关电源拓扑中的续流二极管同步MOSFET ...为提高大功率电源SiP 效率,一般将传统开关电源拓扑中的续流二极管同步MOSFET 取代形成如图1 所示的同步开关电源拓扑,2 个MOSFET Q1 和Q2 形成半桥结构。MOSFET ...
KIA3423采用先进的沟槽技术,提供卓越的RDS,低栅极充电门极电压低至2.5V。该器...KIA3423采用先进的沟槽技术,提供卓越的RDS,低栅极充电门极电压低至2.5V。该器件适合用作负载开关或用于脉宽调制应用。KIA3423是不含铅(符合ROHS和Sony 259规范...