频繁的信号翻转会造成很大的短路电流，以及对负载电容进行频繁的充放电，即增大...频繁的信号翻转会造成很大的短路电流，以及对负载电容进行频繁的充放电，即增大所谓的内部功耗（Internal Power）和切换功耗（Switch Power）。在现代数字集成电路...
功耗的本质是能量耗散。由能量守恒定律可知，能量只能从一种形式转成另一种形式...功耗的本质是能量耗散。由能量守恒定律可知，能量只能从一种形式转成另一种形式，能量的总量不变。芯片耗散的电能主要转化成热能。如果一颗芯片的功耗过大，容易导...
减少栅极充电的峰值电压，当栅极的电压拉高，首先对栅极的寄生电容进行充电，I...减少栅极充电的峰值电压，当栅极的电压拉高，首先对栅极的寄生电容进行充电，I=Q/t。充电的峰值电流可能大于GPIO的输出能力，为了保护IC,添加R25之后，可能有效的...
(1) 用逻辑图写表达式：可以从输入到输出逐级推导，写出电路输出端的逻辑表达式...(1) 用逻辑图写表达式：可以从输入到输出逐级推导，写出电路输出端的逻辑表达式。 (2) 化简表达式：在需要时，用分式化简法或者卡诺图化简法将逻辑表达式化为最简...
当5V没接入时，PMOS管的栅极通过电阻R1下拉到地（0V），锂电池BAT（3.7~4.2V）...当5V没接入时，PMOS管的栅极通过电阻R1下拉到地（0V），锂电池BAT（3.7~4.2V）通过MOS管的内部体二极管到达源极，源极电压为（3~3.5）V，此时Ugs为（-3.5）V到（-...
电源正接，寄生二极管导通，S极电压升高，VGS ≈ -Vin，从而PMOS开启，一般导通...电源正接，寄生二极管导通，S极电压升高，VGS ≈ -Vin，从而PMOS开启，一般导通电阻在数十mΩ，导通损耗远低于二极管。
