当SiC MOSFET的LS导通时,首先ID会变化(下述波形示意图T1)。此时LS的ID沿增加...当SiC MOSFET的LS导通时,首先ID会变化(下述波形示意图T1)。此时LS的ID沿增加方向、HS的ID沿减少方向流动,受下述等效电路图中所示的事件(I)影响,在图中所示的...
LS(低边)侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨...LS(低边)侧SiC MOSFET Turn-on和Turn-off时的VDS和ID的变化方式不同。在探讨SiC MOSFET的这种变化对Gate-Source电压(VGS)带来的影响时,需要在包括SiC MOSFET的...
在交流电路中,由电源供给负载的电功率有两种:一种是有功功率,一种是无功功率...在交流电路中,由电源供给负载的电功率有两种:一种是有功功率,一种是无功功率。电压电流同相位,电源向负载供电,负载把电能转换成其他能量,叫有功。电压电流不...
在不低于几百伏的较高电压下,Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一个位...在不低于几百伏的较高电压下,Si MOSFET、SiC MOSFET和UnitedSiC FET是同一个位置的有力竞争产品,它们的数据资料中通常标明特定额定电压、结温和栅极驱动电压下的...
在大多数降压调节器的典型应用中,使用有源开关而非肖特基二极管是标准做法。这...在大多数降压调节器的典型应用中,使用有源开关而非肖特基二极管是标准做法。这样能大大提高转换效率,尤其是产生低输出电压时。在需要电流隔离的应用中,也可使用...
此经典电路优点比较明显,电路结构简单、极低干扰噪声、稳定性好;同时此电路也...此经典电路优点比较明显,电路结构简单、极低干扰噪声、稳定性好;同时此电路也有缺点,输入交流电范围窄(一般是220VAC±5%),体积重量大;虽然此电路缺点明显目...