nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值...nmos晶体管的阈值电压公式为Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0为晶体管的基础阈值电压，γ为晶体管的偏置系数，φF为晶体管的反向偏置电势，Cox为晶体管的欧姆容量。...
在CMOS器件工艺中，当导电沟道长度降低到十几纳米，甚至几纳米量级时，晶体管出...在CMOS器件工艺中，当导电沟道长度降低到十几纳米，甚至几纳米量级时，晶体管出现一些效应。这些效应主要包括阈值电压Vth随着沟道长度降低而降低，载流子表面散射...
当P型半导体和N型半导体接合在一起时，由于P型半导体中的空穴浓度较高，而N型半...当P型半导体和N型半导体接合在一起时，由于P型半导体中的空穴浓度较高，而N型半导体中的电子浓度较高，因此会形成扩散运动，并且P型半导体中的空穴将向其浓度较低...
对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现...对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。 PN结的击穿主要分为三...
当掺杂浓度较高时，单位长度区域内的载流子数量更多，离子数量也更多。这使得在...当掺杂浓度较高时，单位长度区域内的载流子数量更多，离子数量也更多。这使得在较少的单位长度内就能建立起“一定强度的内电场”，使得PN结进入动态平衡阶段（宽度...
1.开路：如灯丝断了;灯座、开关、拉线盒开路;熔丝熔断或进户线开路等。开路会造...1.开路：如灯丝断了;灯座、开关、拉线盒开路;熔丝熔断或进户线开路等。开路会造成用电器无电流通过而无法正常工作。
