RDS(on) =3.5mΩ(typ.)@ VGS =10V 100%雪崩测试 可靠、坚固耐用 无铅和绿...RDS(on) =3.5mΩ(typ.)@ VGS =10V 100%雪崩测试 可靠、坚固耐用 无铅和绿色设备可用(符合RoHS标准)
钳位器(clamper)可以将输入波形整体上移或下移,“clamper”在 英语中的原意...钳位器(clamper)可以将输入波形整体上移或下移,“clamper”在 英语中的原意是“夹具”的意思,很形象地说明了它可以把波形任意钳夹在某个电平处。
近年来,以碳化硅(Silicon Carbide, SiC)MOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因...近年来,以碳化硅(Silicon Carbide, SiC)MOSFET 为代表的宽禁带半导体器件因其具有高开关频率、高开关速度、高热导率等优点,已成为高频、高温、高功率密度电力...
①插入式封装:TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92; ②表面贴装...①插入式封装:TO-3P、TO-247、TO-220、TO-220F、TO-251、TO-92; ②表面贴装式:TO-263、TO-252、SOP-8、SOT-23、DFN5*6、DFN3*3;
超结结构的功率MOSFET在VDS电压上升、横向电场建立产生耗尽层(空间电荷区)过...超结结构的功率MOSFET在VDS电压上升、横向电场建立产生耗尽层(空间电荷区)过程中,N型漂移层两侧的空间电荷区边界会向中心移动,如图2所示,随着VDS电压的升高,...
这是有刷直流电机PWM的H桥恒流驱动电路示例。这是普通的驱动器电路,可以使用内...这是有刷直流电机PWM的H桥恒流驱动电路示例。这是普通的驱动器电路,可以使用内置的比较器进行电机电流的ON/OFF控制,即PWM控制。