“IC电路电流×电源电压”虽然不错,但“流过电机的电流×电源电压”中却含有电...“IC电路电流×电源电压”虽然不错,但“流过电机的电流×电源电压”中却含有电机的功耗,因此,正确的做法是应先求出电机驱动器IC的输出功耗,再加上IC电路的功耗...
如图1所示,基于双脉冲的思路,搭建双管并联的主回路和驱动回路,并设置相关杂...如图1所示,基于双脉冲的思路,搭建双管并联的主回路和驱动回路,并设置相关杂散参数,环境温度为室温。 外部主回路:直流源800Vdc、母线电容Capacitor(含寄生参...
MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻,缩写为R DS (on)。...MOSFET数据手册中最突出的规格之一是漏极 - 源极导通电阻,缩写为R DS (on)。这个R DS (on)的想法看起来非常简单:当FET截止时,源极和漏极之间的电阻非常高 ...
图1显示的是,在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的两个不同di/dt速率上测得的输出电...图1显示的是,在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的两个不同di/dt速率上测得的输出电荷和反向恢复电荷,这代表了一个事物的两个方面。在左侧,Qrr在360A/µs时测得的值为...
所有半导体器件都具有一定的最大反向电压额定值(功率 MOSFET 的 BV DSS)。高...所有半导体器件都具有一定的最大反向电压额定值(功率 MOSFET 的 BV DSS)。高于此阈值的操作将导致反向偏置 pn 结中的高电场。由于碰撞电离,高电场会产生电子-空...
如果电源电压上升缓慢并且有噪声,或者如果电源本身具有电阻(如电池中的电阻)...如果电源电压上升缓慢并且有噪声,或者如果电源本身具有电阻(如电池中的电阻),导致电压随负载电流下降,那么当比较器输入超过其UVLO阈值时,比较器的输出将在高...