闩锁效应 (Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件，这种低...闩锁效应 (Latch Up) 是在器件的电源引脚和地之间产生低阻抗路径的条件，这种低阻抗路径可能会由于过大的电流水平而导致系统紊流或灾难性损坏。本文介绍闩锁效应产...
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极...IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有功...
下面要介绍的是单片机电路里面经常用到的一个MOS管组合控制电路，由一个增强型...下面要介绍的是单片机电路里面经常用到的一个MOS管组合控制电路，由一个增强型NMOS管和一个增强型PMOS管组成，IO_CON是接到单片机(单片机供电3.3V)的IO口上，单片...
通常我们的电子产品，为防止用户将正负极接反，会对接口做防反接保护。比如接口...通常我们的电子产品，为防止用户将正负极接反，会对接口做防反接保护。比如接口做成梯形或者开个缺口，反了不容易插进，对于一些工控类产品，只提供接线端子的方式...
功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在...功率MOS管自身拥有众多优点，但是MOS管具有较脆弱的承受短时过载能力，特别是在高频的应用场合，所以在应用功率MOS管对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可...
两种电路相比较，主要有以下区别： NMOS管的Rds.on要小于PMOS管的Rds.on； N...两种电路相比较，主要有以下区别： NMOS管的Rds.on要小于PMOS管的Rds.on； NMOS型稳压电路所需的输入输出压差小于PMOS型的输入输出压差；
