所有半导体器件都具有一定的最大反向电压额定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高...所有半导体器件都具有一定的最大反向电压额定值（功率 MOSFET 的 BV DSS）。高于此阈值的操作将导致反向偏置 pn 结中的高电场。由于碰撞电离，高电场会产生电子-空...
如果电源电压上升缓慢并且有噪声，或者如果电源本身具有电阻（如电池中的电阻）...如果电源电压上升缓慢并且有噪声，或者如果电源本身具有电阻（如电池中的电阻），导致电压随负载电流下降，那么当比较器输入超过其UVLO阈值时，比较器的输出将在高...
无需编程的电机驱动器包括内置的控制换向算法，因此无需进行电机控制软件的开发...无需编程的电机驱动器包括内置的控制换向算法，因此无需进行电机控制软件的开发、维护和认证。这些电机驱动器通常从电机获取反馈（例如霍尔信号或电机相位电压和电...
测试电源和电池需要电流负载，该电流负载能够吸收大电流并消耗大量功率。只需使...测试电源和电池需要电流负载，该电流负载能够吸收大电流并消耗大量功率。只需使用一个运算放大器和一个功率MOSFET就可以构建一个简单而准确的电流负载，如图1所示...
KNX3406A TO252/60V80A产品特征 RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V 提供无铅和绿...KNX3406A TO252/60V80A产品特征 RDS(ON)=6.5mΩ(typ.)@VGS=10V 提供无铅和绿色设备 低无线电数据系统开启，以减少传导损耗 高雪崩电流
设 VCC=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V PN结的导通压降VON=0.7V A点:输入为0，T1管be...设 VCC=5V，VIH=3.4V,VIL=0.2V PN结的导通压降VON=0.7V A点:输入为0，T1管be结正偏，bc结正偏，T1处于饱和状态，c1压降很低，T2管的基极与c1接在一起，所以T2管...
