KNE4603A2MOS管 7A30V概述 KNE4603A2是高密度沟槽双N沟道MOSFET，KNE4603A2为...KNE4603A2MOS管 7A30V概述 KNE4603A2是高密度沟槽双N沟道MOSFET，KNE4603A2为同步buck变换器应用中提供了极好的RDSON和栅极电荷。本产品KNE4603A2符合RoHs和绿色...
电源和电机驱动应用中，功率MOS可以在不同的调制方式下，实现相应的能量转换功...电源和电机驱动应用中，功率MOS可以在不同的调制方式下，实现相应的能量转换功能。单个MOS驱动的结构如图1所示，通过MCU的 PWM模块调整占空比，控制功率MOS的通断...
首先，电感（线圈）具有以下基本特性，被称为“电感的感性电抗” (1) 直流基本...首先，电感（线圈）具有以下基本特性，被称为“电感的感性电抗” (1) 直流基本上直接流过 (2) 对于交流，起到类似电阻的作用 (3) 频率越高越难通过
MOS管-5A-30V KPE4403A2产品概述 该KPE4403A2是高密度沟槽双P沟道MOSFET，提供...MOS管-5A-30V KPE4403A2产品概述 该KPE4403A2是高密度沟槽双P沟道MOSFET，提供了优异的性能。大多数同步降压转换器应用中的RDSON和栅极充电。KNE4403A2符合环保和...
MOS管选型需要满足几个要求： 1.足够的漏-源电压 VDS 2.足够的漏极电流 ID ...MOS管选型需要满足几个要求： 1.足够的漏-源电压 VDS 2.足够的漏极电流 ID 3.快速开关的能力和开通、关断延时 4.低的导通电阻Rds(on)
(1)nmos反相器 设电压vdd = 10v，开启电压vt1 = vt2 = 2v 1、a输入高电平vih...(1)nmos反相器 设电压vdd = 10v，开启电压vt1 = vt2 = 2v 1、a输入高电平vih = 8v t1、t2均导通，输出为低电平vol ≈0.3v 2、a输入低电平v il = 0.3v时， t1...
