KIA2301是一款高效稳定的P沟MOSFET，漏源击穿电压20V，漏极电流为2.8A；极低RD...KIA2301是一款高效稳定的P沟MOSFET，漏源击穿电压20V，漏极电流为2.8A；极低RDS（on）的高密度单元设计，最大限度地减少导通损耗，提高了整机的能效；无铅产品、坚...
ZVS电路主要由功率开关管、谐振电感、谐振电容、二极管等组成。 1.启动过程：...ZVS电路主要由功率开关管、谐振电感、谐振电容、二极管等组成。 1.启动过程：电源通过电阻使两个开关管Q1和Q2导通，电流通过电感L1逐渐增加。由于两个开关管的特...
MOS管的寄生参数是指在集成电路设计中，除MOS管基本电气特性（如栅极电压、漏极...MOS管的寄生参数是指在集成电路设计中，除MOS管基本电气特性（如栅极电压、漏极电压、栅极电流等）外，由于制造工艺、封装方式以及电路布局等因素而产生的额外参数...
触摸延时开关电路是利用人体作为感应信号来控制场效应管的导通和关闭，并加入延...触摸延时开关电路是利用人体作为感应信号来控制场效应管的导通和关闭，并加入延时电路从而实现延时开关功能。在工作时，触碰触摸电极，电路将导通，在延时所需时间...
电路由声音拾取放大、光控电路、延时控制三部分组成。MIC、V1、R1、R2、R3、C1...电路由声音拾取放大、光控电路、延时控制三部分组成。MIC、V1、R1、R2、R3、C1组成语音放大电路，RG、R6、R7、R8、V2等组成光控电路，V3、V4、VD1、C3、R9、K等组...
KIA3510AD场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（ON）值为9mΩ，低导通...KIA3510AD场效应管漏源击穿电压100V，漏极电流75A，RDS（ON）值为9mΩ，低导通电阻、低栅极电荷，最大限度地减少导通损耗，性能高效低耗；100%雪崩测试，稳定可靠...
