KCY3008A场效应管漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导...KCY3008A场效应管漏极电流120A，漏源击穿电压为85V，采用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率；优秀的栅极电荷xRDS（...
全桥变换器的基本工作原理是直流电压Vin 经过Q1、D1～Q4、D4组成的全桥开关变换...全桥变换器的基本工作原理是直流电压Vin 经过Q1、D1～Q4、D4组成的全桥开关变换器，在高频变压器初级得到高频交流方波电压，经变压器降压，再全波整流变换成直流方...
基本配置包括直流电源（Vin）、电感（L）、二极管（D）、开关器件（SW）、平滑...基本配置包括直流电源（Vin）、电感（L）、二极管（D）、开关器件（SW）、平滑电容（C）和负载电阻（Load），Vout 是输出电压。开关通常是功率电子器件，例如由 P...
锂电池保护板（13-16串)专用MOS管KCB3008B漏源击穿电压85V，漏极电流120A；使用...锂电池保护板（13-16串)专用MOS管KCB3008B漏源击穿电压85V，漏极电流120A；使用先进的SGT技术，极低导通电阻RDS(开启) 4.5mΩ，最大限度地减少导通损耗，提高效率...
QFN和DFN封装工艺步骤： 芯片切割：使用划片机等设备将芯片从硅晶圆上切割分离...QFN和DFN封装工艺步骤： 芯片切割：使用划片机等设备将芯片从硅晶圆上切割分离出来。 芯片贴装：将切割下来的芯片粘贴到双框架芯片封装的基板上。 引脚连接：通...
SBD具有较低的正向导通电压，一般为0.3V左右；而PN结硅二极管正向导通电压为0....SBD具有较低的正向导通电压，一般为0.3V左右；而PN结硅二极管正向导通电压为0.7V左右。肖特基二极管的正向导通电压通常低于PN结二极管，这意味着在正向导通时，肖...
