通过改变MOS管的开断，可以改变输出电流的方向，合理运用输入输出端口，既可以...通过改变MOS管的开断，可以改变输出电流的方向，合理运用输入输出端口，既可以实现降压功能，也可以实现升压功能。它由两个MOS管和两个二极管组成。
图中USB_PWR表示外接的5V的USB直流电源，BAT_PWR表示锂电池供电电源（最大值4....图中USB_PWR表示外接的5V的USB直流电源，BAT_PWR表示锂电池供电电源（最大值4.2V），VCC则是电路系统的供电引脚，它来源于BAT_PWR或USB_PWR，而电路的核心是一个P...
KIA08TB70DD是一款制造先进的快恢复二极管，具有超快的25纳秒恢复时间、175°C...KIA08TB70DD是一款制造先进的快恢复二极管，具有超快的25纳秒恢复时间、175°C工作接点温度、环氧树脂符合UL 94 V一0@0.125英寸、低正向电压、低泄漏电流、高温玻...
VT1和VT2构成多谐振荡器，振荡频率为5Hz。当电压下降时，为使频率不变，振荡器...VT1和VT2构成多谐振荡器，振荡频率为5Hz。当电压下降时，为使频率不变，振荡器由稳压管VD1稳压后供电。多谐振荡器输出输出的方波电压，直接推动VMOS大功率管，经变...
在图2中，用一个P沟道MOSFET代替图1中的二极管VD2。切换到电池时，MOSFET导通，...在图2中，用一个P沟道MOSFET代替图1中的二极管VD2。切换到电池时，MOSFET导通，电池向负载供电。接入交流适配器时，MOSFET的栅极电压高于其源极电压，处于关断状态...
KNY3403B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用改进的工艺和单元结构特别...KNY3403B场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流85A，采用改进的工艺和单元结构特别定制，低导通电阻RDS(on)=4.5mΩ，最大限度地降低导通电阻，减少损耗，提供卓越的开...
