LED日光灯管安装简单,并不复杂。安装时将原有的日光灯取下换上LED日光灯,并将...LED日光灯管安装简单,并不复杂。安装时将原有的日光灯取下换上LED日光灯,并将镇流器和起辉器去掉,让220V交流市电直接加到LED日光灯两端即可。 安装说明: 1、...
左图在控制端从低电平往高电平切换时,Vbe>0,Q2关断,充电电流从二极管D流入,...左图在控制端从低电平往高电平切换时,Vbe>0,Q2关断,充电电流从二极管D流入,Q1开启;右图在控制端从高电平往低电平切换时,G极电平不会瞬间变化,此时Vbe<-0.7...
衬底材料对MOSFET的阈值电压有显著影响。例如,普通的MOSFET衬底材料为硅晶片,...衬底材料对MOSFET的阈值电压有显著影响。例如,普通的MOSFET衬底材料为硅晶片,但在高温、高电场下易发生击穿,从而降低了阈值电压。因此,一些高温处理的MOSFET采...
KNH9120A场效应管采用专有新型平面技术,漏源击穿电压200V,漏极电流40A,RDS(...KNH9120A场效应管采用专有新型平面技术,漏源击穿电压200V,漏极电流40A,RDS(ON)=3.6Ω(典型值)@VGS=10V,低导通电阻有助于减少功率损耗和发热,具有低栅极电...
MOSFET的关断时间与其栅极电容(Cgs)有关。减小栅极电容可以减少充放电时间,...MOSFET的关断时间与其栅极电容(Cgs)有关。减小栅极电容可以减少充放电时间,从而加速关断过程。这可以通过优化布局、使用更小的栅极面积或选择具有更低栅极电容...
提高驱动电路提供的栅极驱动电压和电流,增大驱动强度可以加速MOSFET的开启和关...提高驱动电路提供的栅极驱动电压和电流,增大驱动强度可以加速MOSFET的开启和关断过程。减小栅极驱动电阻Rg可以提供更大的瞬态电流,从而加快MOSFET的开关速度。而...