R5为全桥高压逆变MOS管源极的高压电流取样电阻，可以这么理解，高压电流的大小...R5为全桥高压逆变MOS管源极的高压电流取样电阻，可以这么理解，高压电流的大小基本上决定了输出功率的大小，所以用R5检测高压电流的大小。图中LM339的两个比较器单...
IGBT是由一个N沟道的MOS管FET和一个PNP型GTR组成，以GTR为主导器件，MOS管为驱...IGBT是由一个N沟道的MOS管FET和一个PNP型GTR组成，以GTR为主导器件，MOS管为驱动器件。GiantTransistor-GTR电力晶体管。这也导致其性能上与MOS管有所差异。注意区...
关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄...关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一...
保护作用：当流过SD的电流过大时可以分流一部分；对于高速开关的场合，体二极管...保护作用：当流过SD的电流过大时可以分流一部分；对于高速开关的场合，体二极管由于开通速度过慢，导致无法迅速开通，电流无法通过，进而损坏MOS，因此并联的二极...
势垒高度的计算公式为：qVD=Wm-Ws，其中q为电子电荷量，V为反向偏置电压，D为势...势垒高度的计算公式为：qVD=Wm-Ws，其中q为电子电荷量，V为反向偏置电压，D为势垒宽度，Wm为多数载流子能量，Ws为少数载流子能量。
电容是衡量电路中储存电荷能力的物理量，常用的单位有法拉（F），较小的单位有...电容是衡量电路中储存电荷能力的物理量，常用的单位有法拉（F），较小的单位有毫法拉（mF），微法拉（μF）和皮法拉（pF）。
