这是一个常用的NMOS低侧开关，平时G极被电阻拉至GND电平，处于关闭状态。当驱动...这是一个常用的NMOS低侧开关，平时G极被电阻拉至GND电平，处于关闭状态。当驱动电压高于GND时，MOS打开。
p沟道场效应管是由沟道、栅极和源、漏极组成。在工作时，栅极和漏极间存在反向...p沟道场效应管是由沟道、栅极和源、漏极组成。在工作时，栅极和漏极间存在反向电压，形成了横向电场，使沟道中的载流子移动方式发生变化，进而控制漏极与源极之间...
KIA50N06B，漏源电压 Bvdss(v)：60，漏极电流 ID(A)：50，RDSON（mΩ）VGS=10V...KIA50N06B，漏源电压 Bvdss(v)：60，漏极电流 ID(A)：50，RDSON（mΩ）VGS=10V：12.5，N沟道，封装TO-220/252，应用领域：电源适配器,开关电源,UPS电源,车载功放,...
MOS管属于晶体管。晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导...MOS管属于晶体管。晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管主要分为两大类：双极性晶...
采用该封装方式的MOSFET有3个电极，栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。 其中漏极(D)的...采用该封装方式的MOSFET有3个电极，栅极(G)、漏极(D)、源极(S)。 其中漏极(D)的引脚被剪断不用，而是使用背面的散热板作漏极(D)，直接焊接在PCB上，一方面用于输出...
过零比较器即为在输入信号穿越0电平时，输出脉冲。将输入信号与零电平进行比较...过零比较器即为在输入信号穿越0电平时，输出脉冲。将输入信号与零电平进行比较。当输入信号的电压超过零电平时，输出电路为高电平；当输入信号电压小于或等于零电...
