KNH2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8m...KNH2908D场效应管漏源击穿电压80V，漏极电流130A，极低导通电阻RDS(开启) 4.8mΩ，最大限度地减少导电损耗；低电流以减少导电损耗、高雪崩电流，性能优越，高效稳...
反相降压升压转换器使用p沟道MOSFET作为开关，但p沟道MOSFET的一大缺点是其内阻...反相降压升压转换器使用p沟道MOSFET作为开关，但p沟道MOSFET的一大缺点是其内阻。如果考虑一个通用的IRF9540 p沟道MOSFET，内阻是0.22R或220ms，但如果考虑它的互...
电路中VT1与VT2组成互补多谐振荡器，它的振荡频率约为2kHz。T是升压变压器，初...电路中VT1与VT2组成互补多谐振荡器，它的振荡频率约为2kHz。T是升压变压器，初级就是互补多谐振荡器的负载，次级为升压绕组，输出一个较高的脉冲电压。
电机控制器mos管KNG3404D漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) ...电机控制器mos管KNG3404D漏源击穿电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(开启) 10.5mΩ，最大限度地减少导电损耗，降低功耗、提升效率；低电流以减少导电损耗、高雪...
通过控制两个全控型开关器件的通断，实现直流到交流的转换。当其中一个开关闭合...通过控制两个全控型开关器件的通断，实现直流到交流的转换。当其中一个开关闭合时，直流电源的正极连接到交流负载上，同时负载上出现正向电压；当该开关断开时，负...
半桥电路由两个串联的功率开关和两个串联的电容组成。当V1导通时，V2关断，电容...半桥电路由两个串联的功率开关和两个串联的电容组成。当V1导通时，V2关断，电容C1上的能量释放到负载R上，输出电压Uo为正，同时电容C2充电。当V1关断后，V2导通，...
