KIA4610A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压100V，漏极电流7...KIA4610A场效应管采用先进的高单元密度沟槽技术，漏源击穿电压100V，漏极电流7.5A，在VGS=10V时，RDS（开启）=16mΩ（典型值），低栅极电荷，降低开关损耗，可为大...
KIA7610A场效应管能够代换18p10型号在无创呼吸机、LED驱动、控制板中应用，KIA...KIA7610A场效应管能够代换18p10型号在无创呼吸机、LED驱动、控制板中应用，KIA7610A漏源击穿电压100V，漏极电流25A，RDS（开）=32mΩ，采用先进的沟槽加工技术，实...
KIA6410A场效应管采用沟槽DMOS技术，经过专门定制，漏源击穿电压100V、漏极电流...KIA6410A场效应管采用沟槽DMOS技术，经过专门定制，漏源击穿电压100V、漏极电流15A，具有RDS（ON）=72 mΩ@VGS=10V的低导通电阻特性，能够显著降低导通电阻，提供...
KPS6110B场效应管采用先进沟槽技术，漏源击穿电压-100V，漏极电流-12A，在VGS=...KPS6110B场效应管采用先进沟槽技术，漏源击穿电压-100V，漏极电流-12A，在VGS=-10V时，RDS（ON）=170mΩ（典型值），可靠且坚固、绿色设备可用，在电源管理、直流...
KIA6110A采用先进的高单元密度沟槽技术，是性能出色的N沟道MOSFET，能够代换12...KIA6110A采用先进的高单元密度沟槽技术，是性能出色的N沟道MOSFET，能够代换12n10参数100V，15A场效应管在防盗器、LED驱动、DC-DC电源、负载开关中应用；KIA6110A...
KPD8610A采用先进的高密度沟槽技术，可以代换nce01p30k参数-100V，-30A场效应管...KPD8610A采用先进的高密度沟槽技术，可以代换nce01p30k参数-100V，-30A场效应管，KPD8610A漏源击穿电压-100V，漏极电流-35A，RDS(on)=32mΩ(typ)@VGS=10V，极低电...
